Samsung lanza HBM3E 12H, el primer DRAM de 12 capas y mayor capacidad para IA y computación de alto rendimiento

Samsung ha creado el primer DRAM HBM3E de 12 capas de la industria y el producto HBM de mayor capacidad hasta la fecha. El HBM3E 12H ofrece un ancho de banda récord de hasta 1.280 gigabytes por segundo (GB/s) y una capacidad líder en la industria de 36 gigabytes (GB). En comparación con el HBM3 8H de 8 capas, ambos aspectos han mejorado en más del 50%. La nueva solución de memoria se basa en la tecnología de fabricación de 10 nm de cuarta generación de Samsung (14 nm), que utiliza litografía ultravioleta extrema (EUV). También aplica una película no conductora de compresión térmica avanzada (TC NCF), lo que permite que los productos de 12 capas tengan la misma especificación de altura que los de 8 capas. La tecnología mejora la densidad vertical y las propiedades térmicas, al tiempo que permite el uso de bultos de varios tamaños entre los chips para una mejor señalización y disipación de calor.

Se espera que el HBM3E 12H sea una solución óptima para futuros sistemas que requieran más memoria, especialmente para aplicaciones de inteligencia artificial (IA) y computación de alto rendimiento (HPC). Samsung estima que sus módulos HBM3E de 36 GB y 12 capas pueden aumentar la velocidad promedio para el entrenamiento de IA en un 34% y expandir el número de usuarios simultáneos de servicios de inferencia en más de 11,5 veces. Samsung ya ha comenzado a proporcionar muestras del HBM3E 12H a los clientes, y se espera que la producción en masa comience en la primera mitad de este año. Sin embargo, la compañía aún no ha revelado el precio ni la disponibilidad de los nuevos productos de memoria.

Crédito de la imagen: Samsung

via | Trendhunter & zdnet